（2020年3月10日，德國慕尼黑和加州圣荷西訊）美國外國投資委員會（CFIUS）已根據(jù)國防生產(chǎn)法第721條款（Defense Production Act of 1950），完成對英飛凌科技股份有限公司（FSE:IFX / OTCQX:IFNNY）收購賽普拉斯半導(dǎo)體公司計劃的審查（該計劃于2019年6月3日宣布）。 CFIUS批準(zhǔn)該項交易。 這項收購案仍須獲得中國國家市場監(jiān)督管理總局（SAMR）的批準(zhǔn)，并需滿足收購協(xié)議中其他慣例成交條件。 免責(zé)聲明 本新聞稿包含與英飛凌集團有關(guān)的前瞻性敘述是基于當(dāng)前信息的預(yù)測。受限于眾多不確定性和風(fēng)險，因此實際發(fā)展可能與預(yù)期情況有所不同...

2020年2月13日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通過專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。“源極底置”是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS(on)）降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和OR-ing）和電池管理等等。   新封裝概念將源極（而非傳統(tǒng)的漏極）...